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        安森美半導體發布碳化硅 (SiC) 二極管用于要求嚴苛的汽車應用

        發布者:管理員  2018/12/28 10:25:33

               推動高能效創新的安森美半導體發布了碳化硅 (SiC) 肖特基二極管的擴展系列,包括專門用于要求嚴苛的汽車應用的器件。新的符合 AEC-Q101車規的汽車級 SiC 二極管提供現代汽車應用所需的可靠性和強固性,以及等同于寬禁隙 (WBG) 技術的眾多性能優勢。

          SiC 技術提供比硅器件更佳的開關性能和更高的可靠性。SiC 二極管沒有反向恢復電流,開關性能與溫度無關。極佳的熱性能、增加的功率密度和降低的電磁干擾(EMI),減小的系統尺寸和降低的成本使 SiC 成為越來越多的高性能汽車應用的極佳選擇。

          安森美半導體的新的 SiC 二極管采用流行的表面貼裝和通孔封裝,包括 TO-247、D2PAK 和 DPAK。FFSHx0120 1200伏特 (V) 第一代器件和 FFSHx065 650 V 第二代器件提供零反向恢復、低正向電壓、與溫度無關的電流穩定性、極低漏電流、高浪涌電容和正溫度系數。它們提供更高的能效,而更快的恢復則提高了開關速度,從而減小了所需的磁性元件的尺寸。

          為了滿足強固性要求,并在汽車應用惡劣的電氣環境中可靠地工作,二極管的設計能夠承受大的浪涌電流。它們還包含一種提高可靠性和增強穩定性的獨特專利終端結構。工作溫度范圍為-55℃ 至175℃。

          安森美半導體高級總監 Fabio Necco 說:“安森美半導體推出符合 AEC 車規的器件,擴展了肖特基二極管系列,為汽車應用帶來 SiC 技術的顯著優勢,使客戶能夠達到這一行業對性能的嚴苛要求。SiC 技術非常適用于汽車環境,提供更高的能效、更快的開關、更好的熱性能和更高的強固性。在講究節省空間和重量的領域,SiC 更高的功率密度有助于減少整體方案的尺寸,以及更小的磁性器件帶來的相關優勢,受客戶所歡迎?!?/span>

          安森美半導體將在 PCIM 期間展示這些新的器件以及公司在寬禁帶、汽車、電機控制、USB-C 供電、LED 照明等領域的方案和用于工業預測性維護應用的智能無源傳感器 (SPS)。

          安森美半導體還將展示領先行業的先進 SPICE 模型,該模型易于受到程序參數和電路布局擾動的影響,因此相對于當前行業建模能力是一大進步。使用該工具,電路設計人員可提早在仿真過程評估技術,而無需經過昂貴和耗時的制造迭代。安森美半導體強固的 SPICE 預測模型的另一個好處是它可連接到多種行業標準的仿真平臺端口。

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